压电用PMNT单晶

电光用PMNT单晶

热释电用PMNT单晶

伸缩压电模式：

d33：

1500～2500pC/N

no：

2.620（632.8nm）

热释电系数：

12.8×10-4C/m2K

长度谐振N33：

约660 kHz×mm

Ne：

2.601（632.8nm）

介电常数：

500  (1kHz)

厚度谐振Nt：

约1800 kHz×mm

电光系数r33：

70 pm/V

介电损耗：

<0.5% (1kHz)

k33：

90～94%

r13：

25 pm/V

体积比热c '：

2.5×106J/m3K

kt：

58～62%

rc：

44.4 pm/V

热扩散系数：

3.8×10-7m2/s

ε33T

5000～7000(1kHz)

吸收边：

400 nm

电流响应优值：

5.12×10-10Am/W

tanδ

<0.7%(1kHz)

透过率：

70%

电压响应优值：

0.11 m2/C

横向长度伸缩压电模式：

反射损耗：

20％

探测优值：

10.2×10-5Pa-1/2

-d31：

1800～2500 pC/N

工作温度上限：

160 oC

工作温度上限：

90 oC

谐振N31：

约520 kHz×mm

k31：

92～95%

PMNT单晶密度：

 8.1 g/cm3 （室温）

厚度切变压电模式：

PMNT单晶尺寸：

晶片：一维最大50mm，二维可达40×40mm 

d15：

5000～7000 pC/N

晶块：一维最大40mm，三维可达30×30×30mm 

谐振N15：

约1200 kHz×mm

 注：特殊形状、切型和尺寸根据客户要求进行定制。

k15：

94～97%

场致应变：

线性应变：

0.37%（2kV/mm）

最大应变：

1.8%  （7kV/mm）

工作温度上限：

85 oC