Crystal Materials 晶体材料

Single Crystal Indium Phosphide, VGF/ LEC grown, 高纯单晶

Crystal Orientation 

(1 0 0) / (1 1 1)

Dopant 掺杂

Fe / Undoped 

S / Sn 

Diameter 直径

50.8 ± 0.25mm / 76.2± 0.25mm / 100.0 ± 0.4mm

Thickness 厚度

325 ± 25um / 425 ± 25um / 500 ± 25um 

Orientation 晶向

（ 100 ） α 0 ±β 0 , off angle α and accuracy β, upon request 

Resistivity 电阻率

(1-10)x10 7 Ω.cm

(1-10)x10 -3 Ω.cm

Mobility 迁移率

≥ 2000 cm 2 / V·sec 

N / A 

Carrier Concentration 掺杂浓度

N / A 

(0.1-3.0)×10 18 /cm3

Etch Pit Density 腐蚀缺陷密度

≤ 5·10 3cm-2 /5·10 4cm-2 

≤ 5·10 2 cm -2 

Orientation(OF) Flat, EJ / US 主定位边

(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm

Identification(IF) Flat, EJ / US 次定位边

(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm

Front Side Surface 正面

Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光

Backside Surface 反面

Polished / Lapping or etched, 抛光 / 研磨或腐蚀

Packaging 包装

N2 filled ， cassette / fluoroware, 25pcs /single piece, 100级洁净室真空冲氮包装,25片卡盒/单片币式