本期推荐：XP151A13A0MR,XC61CN2702MR,XP161A1355PR,XP162A12A6PR,XC6206P282MR
【XP151A13A0MR】
XP151A13A0MR系列通过采用双重扩散形成沟道，使电流纵向流动的DMOS(Double Diffusion MOS)构造，是实现了低通态电阻、超高速开关特性的功率MOSFET。
XP151A13A0MR系列的开关速度高，并能低压驱动，可实现高效、节能。
另外，由于采用各种小型封装，达到高密度安装，可实现设备的小型化、薄型化。
XP151A13A0MR 特点：
超高速开关
门内置保护二极管
驱动电压:1.5V
N-Channel功率MOSFET
DMOS结构
封装:SOT-23
XP15系列超高速开关用MOSFET
XP15X系列采用微功率型模压SOT-23，是能够高密度安装的功率MOSFET。
输出形式有单N沟道型和单P沟道型。
XP15系列：
XP151A11BOMR-G
XP151A12A2MR-G
XP151A13AOMR-G
XP152A11E5MR-G
XP152A12COMR-G
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【XC61CN2702MR】
XC61CN2702MR系列是一款高精度,低功耗的电压检测器芯片,并采用了CMOS生产工艺和激光微调技术。
XC61CN2702MR系列受温度漂移特性的影响很小,电压检测精度很高。
XC61CN2702MR系列有CMOS和N沟道开漏两种输出模式供选择。
XC61CN2702MR 特点:
高精度:±2%(Ta=25℃), ±4%(Ta=-40℃+85℃)
低消耗电流 :0.7μA TYP. (VIN=1.5V)
检测电压范围 :1.6V~6.0V (0.1V 间隔)
工作电压范围 :0.7V~10V
检测电压温度特性 :±400ppm/℃ MAX. (Ta=-40℃+85℃)
輸出形式 :N沟道开漏/CMOS輸出
封装 :SOT-23, SOT-89
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【XP161A1355PR】
XP161A1355PR系列通过采用双重扩散形成沟道，使电流纵向流动的DMOS(Double Diffusion MOS)构造，是实现了低通态电阻、超高速开关特性的功率MOSFET。
XP161A1355PR系列的开关速度高，并能低压驱动，可实现高效、节能。另外，由于采用各种小型封装，达到高密度安装，可实现设备的小型化、薄型化。
特点：实现了低通态电阻和超高速开关特性的功率MOSFET系列。
超高速开关
驱动电压 : 1.5V;N-Channel功率MOSFET;DMOS结构
封装：SOT-89
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【XP162A12A6PR】
XP162A12A6PR系列通过采用双重扩散形成沟道，使电流纵向流动的DMOS(Double Diffusion MOS)构造，是实现了低通态电阻、超高速开关特性的功率MOSFET。
XP162A12A6PR系列的开关速度高，并能低压驱动，可实现高效、节能。另外，由于采用各种小型封装，达到高密度安装，可实现设备的小型化、薄型化。
XP162A12A6PR 特点：
超高速开关
Dribing电压：-2.5V
内置门保护二极管
P-沟道功率MOSFET
DMOS结构
封装：SOT-89
XP16系列超高速开关用MOSFET
XP16X系列采用微功率型模压SOT-89，是能够高密度安装的功率MOSFET。
输出形式有单N沟道型和单P沟道型。
XP16系列：
XP161A11A1PR
XP161A1265PR
XP161A1355PR
XP162A11COPR
XP162A12A6PR
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【XC6206P282MR】
XC6206P282MR系列是一款高精度,低功耗,3引脚LDO高电压调整器芯片,并采用 CMOS工艺和激光微调技术。
在输出电流较大的情况下,输入输出压差也能很小。
XC6206P282MR系列芯片内部包括一个电流限制电路,一个驱动三极管,一个高精度参考电压源和一个误差校正电路。
XC6206P282MR系列可使用低ESR陶瓷电容.电流限制器的foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。
通过激光微调技术,可设定芯片的输出电压,其范围是1.2V至5.0V,间隔为100mV。
XC6206P282MR 特征：
最大输出电流 ：250mA(5.0V型)
最大工作电压 ：6.0V
输出电压范围 ：1.2~5.0V(0.1V间隔)
高精度 ：±2%
低功耗 ：1.0μA(TYP.)
工作温度 ：-40℃～85℃
低ESR电容 ：可用陶瓷电容
封装 ：:SOT-23,SOT-89,TO-92,USP-6B
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