采用第6代IGBT硅片技术，损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台有条件接受客户定制
产品型号 参数说明
CM35MXA-24S CIB，35A/1200V
CM50MXA-24S CIB，50A/1200V
CM75MXA-24S CIB，75A/1200V
CM100MXA-24S CIB，100A/1200V
CM75RX-24S 7单元，75A/1200V
CM100RX-24S 7单元，100A/1200V
CM150RX-24S 7单元，150A/1200V
CM75TX-24S 6单元，75A/1200V
CM100TX-24S 6单元，100A/1200V
CM150TX-24S 6单元，150A/1200V
CM150DX-24S 2单元，150A/1200V
CM200DX-24S 2单元，200A/1200V
CM300DX-24S 2单元，300A/1200V
CM450DX-24S 2单元，450A/1200V
CM600DXL-24S 2单元，600A/1200V
CM1000DXL-24S 2单元，1000A/1200V
CM50RX-34S 7单元，50A/1700V
CM75RX-34S 7单元，75A/1700V
CM50TX-34S 6单元，50A/1700V
CM75TX-34S 6单元，75A/1700V
CM100TX-34S 6单元，100A/1700V
CM150DX-34S 2单元，150A/1700V
CM200DX-34S 2单元，200A/1700V
CM300DX-34S 2单元，300A/1700V
CM400DXL-34S 2单元，400A/1700V
CM600DXL-34S 2单元，600A/1700V
