它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。分布电容是指线圈的匝与匝之间，线圈与磁心之间，线圈与地之间，线圈与金属之间都存在的电容。电感器的分布电容越小，其稳定性越好。分布电容能使等效耗能电阻变大，品质因数变大。减少分布电容常用丝包线或多股漆包线，有时也用蜂窝式绕线法等。

要进行快速的电感和电容计算，我们要先弄懂什么是电感和电容。电感和电容是通电电路的属性，属于物理量。    电感是指：电流与线圈的相互作用关系称其为电的感抗就是电感。单位是亨利（H）。    电容是指：一种储存容器的无源元件，有着通交流阻直流的特性，常用字母C表示。    加载其电感量按下式计算:线圈公式    阻抗(ohm) = 2 * 3.14159 * F(工作频率) * 电感量(mH)，设定需用 360ohm 阻抗，因此：    电感量(mH) = 阻抗 (ohm) ÷ (2*3.14159) ÷ F (工作频率) = 360 ÷ (2*3.14159) ÷ 7.06 = 8.116mH    据此可以算出绕线圈数：    圈数 = [电感量* { ( 18*圈直径(吋)) + ( 40 * 圈长(吋))}] ÷ 圈直径 (吋)    圈数 = [8.116 * {(18*2.047) + (40*3.74)}] ÷ 2.047 = 19 圈    电容功率计算公式:    P=1/2 * C * V2 * F    电感功率计算公式:    P=1/2 * L * I2 * F    电容上携带的能量(焦耳)，是二分之一乘以电容量(法拉)再乘以电容电压(伏特)的平方。    硅芯片功率的计算存在一个公式：功率=C(寄生电容)*F(频率)*V2(工作电压的平方)。对于同一种核心而言，C(寄生电容)是一个常数，所以硅芯片功        率跟频率成正比，跟工作电压的平方也成正比

电感线圈线圈中的自感电动势总是与线圈中的电流变化抗衡。电感线圈对交流电流有阻碍作用，阻碍作用的大小称感抗xl，单位是欧姆。它与电感量l和交流电频率f的关系为xl=2πfl，电感器主要可分为高频阻流线圈及低频阻流线圈。调谐与选频作用电感线圈与电容器并联可组成lc调谐电路。即电路的固有振荡频率f0与非交流信号的频率f相等，则回路的感抗与容抗也相等，于是电磁能量就在电感、电容来回振荡，这lc回路的谐振现象。谐振时电路的感抗与容抗等值又反向，回路总电流的感抗最xiao，电流量最da（指 f=“f0“的交流信号），lc谐振电路具有选择频率的作用，能将某一频率f的交流信号选择出来。