福州美国GNB蓄电池代理
美国GNB蓄电池责任确实大多在厂家，因为他们在设计和生产电池的时候没有确保其安全性，不过，有一些手机使用常识，也可以帮助用户避免电池事故的发生。以下为原文内容：
山特TG500 UPS电源功率为500VA，主要作为计算机后备电源。电网供电正常时，由电网供电，RY1与RY2继电器吸合。RY1与RY2受微处理器MC908JL8CDW控制，电网电压检测是由双运放LM358集成电路担任。刚开机由12V蓄电池供电，开关电源UC3843工作以后，开关电源产生+16V直流电压，一边对电蓄电池充电，一边对整机直流供电。电网停电时，由UPS逆变供电。
逆变工作原理：由SG3525、TX1、Q01、Q03及外围电路组成的开关电源工作后，TX1开关变压器二次侧感应出交流电压，经桥式整流后产生300V直流电压，经场效应管桥式电路逆变成交流50Hz/220V电压。
要了解电池安全问题，我们需要了解电池的工作原理。电池有两个电极，其中一个电极上有正电离子，被称为阴极。阴极是存储“燃料”的地方，里面充满锂元素。另一个电极上有负电离子，称为阳极。
在充电的时候，锂离子从阴极移动到阳极。而在使用电池的时候，锂离子从阳极移动到阴极。在阴极和阳极之间的化学物质称为电解质，它可以帮助电离子移动，传导电流，目前的电解质主要是液态的（后文会提到固态电解质）。虽然电离子需要从一个电极移动到另一个电极，但两个电极本身绝对不能接触。所以电池制造商在阴极和样机之间插入了隔板。
“现在的隔板做得真的很薄，这样电池也就能更加纤薄。” 电池设备制造商CADEX的创始人和首席执行官布赫曼（Isidor Buchmann）说。
而Galaxy Note 7电池的问题就是隔板存在缺陷，没能正确隔开两个电极。“这是最糟糕的情况之一，因为电池很有可能起火甚至爆炸。” 亚彻说。
电解质本身不太稳定，电离子在其中的移动也带来了不稳定性。当有大量的热量产生时——无论是通过两个电极互相接触还是仅仅因为外部过热——电解质可能会与其他化学物质发生反应，产生气体，释放更多的热量。随着化学反应的反复发生，气体以越来越快的速度释放越来越多的热量。这个过程将产生“热失控”，并可能导致起火燃烧。
这就是为什么很多手机在过热时会自动关机的原因。不过电池爆炸也可能是其他原因引起的。电池过度充电或充电过快，都有可能导致电池起火或者爆炸。
1 硅系太阳能电池
电池工作的原理和“热失控”
1.1 单晶硅太阳能光伏电池 硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高
质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、
发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是*单晶硅表面微结
构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池
表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合.通过改进了的电镀过程增加栅极的
宽度和高度的比率：通过以上制得的电池转化效率超过23%，是大值可达23.3%。Kyocera公司制备的大面积(225cm2)单电晶太阳能电池
转换效率为19.44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池(2cm X 2cm)
转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池(5cm X 5cm)转换效率达8.6%。 单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的，在大规模
应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本价格居高不下，要想大
幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太
阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。
1.2 多晶硅薄膜太阳能光伏电池 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅
锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的
硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制
备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外，液相外延
法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。 化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4，为反应气体，在一定
的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较
大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火
，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有
固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制
得的太阳能电池转换效率明显提高。德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZ Si衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19%，
日本三菱公司用该法制备电池，效率达16.42%。 液相外延(LPE)法的原理是通过将硅熔融在母体里，降低温度析出硅膜。美国
Astropower公司采用LPE制备的电池效率达12.2%。中国光电发展技术中心的陈哲良采用液相外延法在冶金级硅片上生长出硅晶粒，并
设计了一种类似于晶体硅薄膜太阳能电池的新型太阳能电池，称之为“硅粒”太阳能电池，但有关性能方面的报道还未见到。 多晶硅
薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少，又无效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率
高于非晶硅薄膜电池，因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。
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