氧化炉主要是完成半导体元器件的氧化，使元器件表面在一定的温度和气氛的反应下形成一种所需要的氧化膜。同时可作元器件的烧结、退火、钎焊等工艺，具有应用范围广、安全可靠、控制精度高等特点。

2.设备名称              双管氧化炉

3.型号                      L4611II-Z/RZQ

4.规格                      石英玻璃（单）管有效直径Φ150×2400mm，

                                  管壁厚度5-6  mm。

5.主要配制：

5.1主机部分

5.2温度控制部分（PID）

5.3气路部分

5.4氧化室

5.5功率部分

5.6移动工作台

6.主要技术指标

6.1最高温度                                                  1250℃

6.2使用温度                                                  300℃～1200℃    

6.3恒温区长度                                              大于等于600mm

6.4单点控温精度                                          ±1℃/24h

6.5升温功率                                                  18kw

6.6保温功率                                                  8kw

6.7氮气流量      大                                                                  0～20L/min（可调）

　                        小（通过洗气瓶，容量500～1000ml）    0～1L/min

6.8氢气流量                                                                            0～0.2L/min