苏州创芯奇半导体有限公司
NPT(非穿通型)--IGBT采用薄,硅片技术,以离子注进,发射区代替,高复杂、高本钱的厚层,高阻外延,可降低生产本钱,25%左右,耐压越高本钱差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定,效应,在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品,和,6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相,继研制出NPT—,GBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等,研制之中,NPT型正,成为IGBT发展方向
自创办以来,以市场为导向,积累了丰富,的营销经验。并长年备有现货库存,业务遍布全国各地!产品应用范围遍,及信息通讯、仪器仪表、航天军工、船舶消防、科研实,验等各大领域,!我们,承: 诚信为本! 互惠互利 ! 质量 ,信誉!,的企业理念,将一如既,往的为您服务,您的满意是我们永远的追求! 相信以我们的诚信 优质 优价 完善的服务会让您满意和信赖的 !,,
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本公司坚持以‘诚信为本、质量首位、价格合理’的经营理念
期待与贵公司的合作,一步一个脚印,做大做强,再创辉煌!
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T930S18TMC
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infineon , eupec
600V系列IGBT模块,1200V系列IGBT模块,1600V系列IGBT模块,1700V系列IGBT模块,3300V系列IGBT模块 ,6500V系列IGBT模块:
DN2系列:频率范围10KHZ-20KHZ,饱和压降:2.5V-3.1V;
DN2系列:频率范围4KHZ-8KHZ,饱和压降:2.1V-2.4V;
KS4系列:频率范围15KHZ-30KHZ,饱和压降:3.2V-3.85V;
KE3系列:频率范围4KHZ-10KHZ,饱和压降:1.7V-2.0V;
KT3系列:频率范围8KHZ-15KHZ,饱和压降:1.7V-1.9V;
一单元(1U)/600V IGBT:
BSM200GA60DN2
BSM200GA60DLC
BSM300GA60DN2
BSM300GA60DLC
BSM400GA60DN2
BSM400GA60DLC
FZ300R06KE3
FZ400R06KE3
FZ600R06KE3
FZ800R06KE3
一单元(1U)/1200V IGBT:
05
08
2020
D3301N32K诚售D3301N34K质D3301N36K
来源:[苏州创芯奇半导体有限公司]
联系人:王先生
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电话:0512-36615634
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元/个
供应地:江苏省苏州市
产品型号:D3301N36K