苏州创芯奇半导体有限公司

IGBT硅片的结构与功，率MOSFET 的结构，十分相似，主要差异是IG，BT增加了P+ 基片和一，个N+ 缓冲层(，PT，-非穿通-IG，BT技术没有，增加这个部分)。如等效，电路图所示(图1)，其中一个MOSF，ET驱动两个双极器件。基片的，应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅，偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个，电子流，并完全按照功率 MO，SFET的方式产生一股电流。如果，这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳，极之间的电阻率，这种方式，降低了功率导通的总损，耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，，在半导体，层次内临时，出现两种不，同的电流拓扑：一个电，子流(MOS，FET 电流)； 一个，空穴电流(双极)

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整流二极管模块：

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