苏州创芯奇半导体有限公司

正式商用的,IGBT器件的电压,电流容量还很有限，远远不能满足,电力电子应用技术发展的需求；高,压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能,通过IGBT高压串联等技,术来实现高压应用。国外的一些厂家如ABB公,司采用软穿通原则研制出了8K,V的,IGBT器件，德国的EUPEC生产的65,00V/600A高压大,功率IGB,T器件已经获得实际应用，,日本东芝也已,涉足该领域。与,此同时，各大半导,体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um,以下制作工艺，研制开发取得一,些新进展。2013年9月12日 我国自主研发的,高压大功,率3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型,晶体管）芯片及由,此芯片封装的大功率120,0A/3300V IGBT模块通过专家,鉴定，中国自此,有了完全自主的IGBT 中国芯

企业主要销售品牌

包括:英飞凌、欧派克、日本三社、IXYS艾赛斯、西门康、富

士、三菱、仙童、新电源、东芝、IR、摩托罗拉、西门子、英达、三

肯、三洋、APT、ST ABB、西码、CDE等国外知名公司生产的IGBT

可控硅、晶闸管、GTR、IMP、PIM、快恢复二极管、整流桥、电解电容、

驱动电路、MOSFET 日本TOCOS电位器、美国BOURNS电位器、

日本光洋旋转编码器等 。

本公司坚持以‘诚信为本、质量首位、价格合理’的经营理念

期待与贵公司的合作，一步一个脚印，做大做强，再创辉煌！  

(产品保证全新原装，如若发现有误 三天内可退换)

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整流二极管模块：

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