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05 08 2020

KD30HB160诚售KD60HB120质KD60HB160

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来源:[苏州创芯奇半导体有限公司]
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地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区夏荷路99号港龙商务大厦
品牌:INFINEON/英飞凌
价格:88.00 元/
供应地:江苏省苏州市
产品型号:KD60HB160

苏州创芯奇半导体有限公司


IGBT的伏安特性是指,以栅极电压VGE为参变量时,集电极电流I,C与集电极电压VCE,之间的关系曲线。IGBT的伏安特,性与BJT的输,出特性相似,也可分为饱和区I、放大区II和,击穿区III三部分。IGBT作为开关器件,稳态时主要工,作在饱和导通区。IGBT的转移,特性是指集电极输出,电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSF,ET的转移特性相同,当栅极电压V,GE小于开启电压VGE(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通,后的大部分集电极电流范围内,IC与VGE呈线性关系



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型号(2单元) 技术指标 型号(2单元) 技术指标

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三社二极管 SanRex diode 

型号(1单元) 技术指标 型号(1单元) 技术指标

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供应原装三社整流桥模块: DF20DB80 DF20BA40 DF20BA80 DF20AA120 DF20AA160 DF30BA40 DF30BA80 DF30AA120 DF30AA160 DF40BA40 DF40BA80 DF40AA120 DF40AA160 DF50BA40 DF50BA80 DF50AA120 DF50AA160 DF60BA40 DF60BA80 DF60AA120 DF60AA160 DF75BA40 DF75BA80 DF75AA120 DF75AA160 DF100BA40 DF100BA80 DF100AA120 DF100AA160 DF150BA40 DF150BA80 DF150AA120 DF150AA160 DF200BA40 DF200BA80 DF200AA120 DF200AA160 DF75AC80 DF75AC160 DF100AC80 DF10


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