苏州创芯奇半导体有限公司
正式商用的I GBT器 件的电压和电 流容量还 很有限,远远不能 满足电力电子应用技术 发展的需求;高压领域的许 多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,目前只 能通过IGBT高压 串联等技术来实现高压应用。国 外的一些厂家如ABB公司采。用软穿通原则。研制出了8KV的IGBT器件,德国的EU PEC生产的6500V/600A高压。大功率IGBT器件已经获得实 际应用,日本东芝也已涉足该领域。与此同时。,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐 压、大电流、高 速、低饱和压降、高可靠性、低成本 技术,主要 采用1um以下 。制作工艺,研制开 发取得一些。 新进展。2013年9月12日 我国自主 研发的 高。压大 功率3300。V/5 0A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片 及由此芯片 装的大 功率1200A/3300V IGBT模块通 过专家鉴定,中国自此有了完 全自主 的IGBT“中国芯”
优势代理产品为大功率平板式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT,
品牌如E UPEC、西门康、西码、 三菱、ABB、三社、IR、 明纬开关电源等国外功率模块。
在国内严格按照国 际标 准生。产:Z。P型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管、
KS型双向 晶闸管、KK型快速晶闸管、 KG型高频晶闸管、 桥式整流器、电力 模块、肖特基模块、
SF超快恢复二极管、电焊机 专 用模块、固 态继电器、固 态调 压器、型材 散热器等电力半导体器件。
本公司坚持以‘诚信为本、质量首位、价格合理’的经营理念
期待与贵公司的合作,一步一个脚印,做大做强,再创辉煌!
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BSM200GA60DLC
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BSM400GA60DLC
FZ300R06KE3
FZ400R06KE3
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FZ800R06KE3
一单元(1U)/1200V IGBT:
BSM200GA120DN2
BSM300GA120DN2
BSM400GA120DN2
BSM200GA120DL
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FZ400R12KP4
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一单元(1U)/1700V IGBT:
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T2710N22TOF诚信销售T4301N22TOF T4301N24TOF
来源:[苏州创芯奇半导体有限公司]
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价格:88.00
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供应地:江苏省苏州市
产品型号:T2710N22TOF