苏州创芯奇半导体有限公司

欢迎您的关注支持

IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PN PN（如图1 所示）。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低， 通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：

优势代理产品为大功 率平板式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT，

品牌如EU PEC、西门康、西码、三菱、AB B、三社、IR、 明纬开关电源等国外功率模块。

在国内严格按照 国际标准生产：ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管、

KS型双向 闸管、KK 型快速晶闸管、KG型高频晶闸管、桥式整流器、电力模块、肖特基模块、

SF超快恢复二极管、电焊机专用模块、固态继电器、固态调压器、型材散热器等电力半导体器件。 

本公司坚持以‘诚信为本、质量首位、价格合理’的经营理念

期待与贵公司的合作，一步一个脚印，做大做强，再创辉煌！  

T9G0121203DH

T9G0121603DH

T9G0122503DH

T9G0141003DH

T9G0141203DH

T9G0141603DH

T9G0161003DH

T9G0161203DH

T9G0161603DH

T9G0181003DH

T9G0181203DH

T9G0181603DH

T9G0201003DH

T9G0201203DH

T9G0221003DH

T9G0221203DH

T9G0241003DH

T9G0241203DH

T9K7360802DH

T9K7450802DH

T9KC600603DH

T9KC620603DH

T9KC650603DH

T9S0043403DH

T9S0062803DH

T9S0063403DH

T9S0082803DH

T9S0083403DH

T9S0122003DH

T9S0142003DH

T9S0161803DH

T9S0162003DH

T9S0181803DH

T9S0182003DH

T9S0221803DH

T9S7241403DH

T9S7261403DH

T9S7281403DH

T9S7301403DH

T9S7321403DH

TA20021603DH

TA20021803DH

TA20041603DH

TA20041803DH

TA20061603DH

TA20061803DH

TA20081603DH

TA20081803DH

TA20101603DH

TA20101803DH

TA20121603DH

TA20121803DH

TA20141603DH

TA20141803DH

TA20161603DH

TA20161803DH

TA20181603DH

TA20201603DH

TA20221603DH

TAK7361202DH

TAK7401202DH

TAK7441202DH

TAKC651103DH

TAS0182603DH

TAS7421603DH

TBK5163203DH

TBK702300HHE

TBK704300HHE

TBK706300HHE

TBK716250HHE

TBK718250HHE