苏州创芯奇半导体有限公司

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IGBT在集电极与发射极之间有一个寄 生PNPN晶闸管（如图1所示）。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控 制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁 有如下主要区别：

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K0349LC600 P201CH60   

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   P201CH65   K2960TC480  

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   K0682LC360 KX190LC360   

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   K0682LG360 K3207EC450   

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   K1351VF600 KX120VF600   

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