苏州创芯奇半导体有限公司

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当在栅极施加一个负 偏压或栅压 低于门限值 时，沟道被禁止 ，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因 为换向开始后，在N层内 还存 少数的载流子(少子)。 这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的 数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减 使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流 二极管的设备上，问题更加明显。

优势代 理产品为 大功率平板 式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT，

品牌如EUPEC、西门康、西码、三菱、ABB、三社、IR、 明纬开关电源等国外功率模块。

在国内严 格按照 国际标准生 产：ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管、

KS型双向 晶闸管、KK型快 速晶闸管、KG型高 频晶闸管、桥式整流 器、电力模块、肖特基模块、

SF超快恢 复二极管、电焊机 专用模块、固态继 电器、固态调 压器、型材散热器等电力半导体器件。 

本公司坚持以‘诚信为本、质量首位、价格合理’的经营理念

期待与贵公司的合作，一步一个脚印，做大做强，再创辉煌！  

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