苏州创芯奇半导体有限公司

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IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

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  R3047TC24N R3047TC24R

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  R3708FC40V R3708FC40W 

  R3708FC45V R3708FC45W 

  RX075FD24R RX075FD24T

  RX075FD28R RX075FD28T

  RX075FC24R RX075FC24T

  RX075FC28R RX075FC28T 

  R210SH10 R210SH14

  R185SH08 R185SH12 

  R216SH08 R216SH12

  R180SH06 R180SH10

  R190SH10 R190SH14

  R200SH16 R200SH21

  R219SH08 R219SH12

  R220SH08 R220SH12

  R270SH04 R270SH08 

  D315CH32 D315CH36 

  D350SH24 D350SH26 

  R325SH10 R325SH14

  R350SH08 R350SH12

  R355SH08 R355SH12

  

  （westcode）快速可控硅R355CH12，电流1271A，电压1200V；根据关断时间的不同，具体型号可分为R355CH12FLO（15微秒）、R355CH12FMO（12微秒）、R355CH12FJO（25微秒）。

  R395SH14 R395SH18

  R395SH21 D391SH22

  D391SH25 D390SH18

  D390SH21 D390SH25

  D450SH10 D450SH12

  R400SH08 R400SH12

  D405SH14 D405SH18

  R500CH20 R500CH28

  R500DH20 R500DH28

  R600CH18 R600CH21

  R600CH25 R610CH22

  R610CH25 R800CH16

  R800CH18 R1200CH10

  R1200CH12 R1863CH24

  R1863CH28 R1863DH24

  R1863DH28 R1966CH16

  R1966CH20 R1966DH16

  R1386CH40 R1386CH45 

  R355CH12FLO R355CH12FMD