本科生微电子器件及材料实验目的
通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。
本科生微电子器件及材料实验目录
本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能
实验名称
测试参数
金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验
l 输出特性曲线
l 转移特性曲线
l 跨导gm
l 击穿电压BVDS
四探针法测量半导体电阻率测试实验
l 四探针法电阻率ρ
l 材料阻值R
MOS电容的CV特性测试实验（低频 + 高频）
l CV特性曲线
半导体霍尔效应测试实验
l 霍尔电压VH
l 霍尔电阻率ρ
l 霍尔系数RH
l 载流子浓度n
l 霍尔迁移率u
激光二极管LD的LIV特性测试
l LIV特性曲线
l 阈值电流Ith
l 阈值电流对应电压值Vth
l 拐点Kink
l 线性电阻Rs
太阳能电池的特性表征
l 开路电压Voc
l 短路电流Isc
l 功率最大值Pmax
l 填充因子FF
l 转换效率η
l 串联电阻Rs
l 旁路电阻Rsh
本科生微电子器件及材料实验测试平台核心
测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU）
普赛斯国产源表四表合一 四象限模式
交流测试使用LCR表
探针台：4寸或6寸手动探针台
有关SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台的更多信息请咨询一八一四零六六三四七六，普赛斯教学实验平台采用一体化设计，集成了数字源表、LCR电桥、万用表、示波器等通用仪表；搭配丰富的测试夹具及实验教材，满足基础实验教学需求；测试设备简单易用，接线简单，方便学生动手操作；
实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三： MOS电容的CV特性测试实验
实验四：半导体霍尔效应测试实验实验
实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六：太阳能电池的特性表征实验
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用，专业权威，方便学生动手操作
核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求
05
30
2024
SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台 SMU源表
来源:[武汉普赛斯仪表有限公司]
联系人：陶女士
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地址：湖北省武汉市武汉市东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园10栋5楼
品牌：普赛斯仪表
价格：1000.00
元/台
供应地：湖北省武汉市
产品型号：S100B
