超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）的独特特性是与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。超辐射发光二极管（SLD）在几何形状上与激光器类似，但是没有内置的LD反射机制用于受激发射以实现激光。与LD相比，超辐射发光二极管（SLD）操作的主要区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。超辐射发光二极管（SLD）具有与LED相似的结构特征，通过降低刻面的反射率来抑制激光作用。超辐射发光二极管（SLD）本质上是高度优化的LED。虽然超发光二极管（SLD）像低电流水平的LED一样工作，但是它们的输出功率在高电流下也是超线性地增加。

产品特点：

· 中心波长：750-1640nm

· 典型3dB带宽：10-110nm

· 典型输出功率：0.2-45mW

· 典型波纹：0.1-1dB