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高 NA EUV 被广泛认为是未来几十年半导体器件持续微缩和发展所需要的图形化技术　干膜光刻胶能实现高抗刻蚀性及沉积和显影所需的可调厚度比例，以支持高 NA EUV 降低焦深的要求　 泛林集团执行副总裁兼#技术官 Rick Gottscho 表示：　


干膜光刻胶技术结合 EUV 为将来 DRAM 和逻辑的发展扫清了#大障碍　此次合作将泛林在干膜光刻胶技术领域的专业知识、尖端解决方案与材料科学能力和来自两个前体化学品行业#带来的值得信赖的供应渠道结合在一起　这一干膜光刻胶生态系统的重要扩展为该技术的创新和量产铺平了道路　

干膜光刻胶#初由泛林与 ASML 和 IMEC合作开发，提升了 EUV 光刻的分辨率、生产率和良率，从而解决了与下一代 DRAM 和逻辑技术相关的关键挑战　该技术提供出色的剂量-尺寸比和剂量-缺陷率性能，从而提高了 EUV 扫描仪的生产率并降低持有成本　


此外，与传统抗蚀剂工艺相比，泛林的干膜光刻胶工艺消耗的能源更少，原材料消耗量比之前要少五到十倍，从而提供了关键的可持续发展优势　 Entegris#执行官 Bertrand Loy 表示：　泛林的干膜光刻胶技术反映了材料层面的关键创新，并且提供多项优势，包括分辨率更佳、成本效益更高以及具吸引力的可持续发展效益