XHR-2055软启动器 鄯善新能源配置储能

因此，驱动器设计不一定需要完全满足电机的规格　为确保所选功率MOSFET的额定值#少等于电机所需的电源电压和#大电流，甚##好留有一定裕量，以确保能够发挥#佳的效能　通常MOSFET的漏源电压额定值（VDS）应#少比电源电压高20%　在某些情况下，尤其是在电流大、扭矩步长较大、电源控制不良的系统中，MOSFET的额定电流必须足够高，才能提供电机所需的峰值电流　
此外，散热也是选择MOSFET的重点，MOSFET耗散功率会在漏源电阻RDS(ON)中产生热量，包括环境温度和MOSFET散热在内的热条件，决定了可以耗散的功率，而#大允许功耗#终决定则基于MOSFET的RDS(ON)值


此外，还需要考虑总栅极电荷（QG），栅极电荷用于度量导通和关断MOSFET所需的电荷量，较低QG的MOSFET更易于驱动，与具有较高QG的MOSFET相比，它可以以较低的栅极驱动电流进行更快的切换
优异的功率MOSFET特性满足应用需求安森美在功率MOSFET领域在业界居于领先地位，并针对不同的应用需求，推出各种规格的功率MOSFET，包括用于电源转换和开关电路的N沟道、P沟道和互补MOSFET

本文介绍的NTBLS1D5N10MC，是一款单极、N沟道的功率MOSFET，支持TOLL封装，可输出100 V、1.53 mΩ、298 A的功率，具备低RDS(ON)、低总栅极电荷（QG）和电容，具有较低的开关噪声／电磁干扰（EMI），并是无铅、无卤素／无溴化阻燃剂（BFR）的器件，并且符合RoHS标准，可#小化传导损耗，#大限度地减少驱动器损失，可应用于电动工具、电池供电的真空吸尘器、无人机、物料搬运、电池管理系统（BMS）／存储、家庭自动化等领域，常见的#终产品包括电机控制、工业电源与太阳能逆变器等

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