石墨烯系列产品 >> CVD碳化硅衬底单层石墨烯 | CVD SiC衬底单层石墨烯 >> CVD碳化硅衬底单层石墨烯 | CVD SiC衬底单层石墨烯
11110365316
CVD碳化硅衬底单层石墨烯 | CVD SiC衬底单层石墨烯
石墨烯系列产品
产 品 说 明
晶型
4H-SiC
4H-SiC
6H-SiC
6H-SiC
标准尺寸
标准尺寸
定制尺寸
● 气体传感器
09
09
2021
供应碳化硅石墨烯 SiC石墨烯 石墨烯厂家
来源:[长春市海洋光电有限公司]
联系人：欧先生
手机：13604449254
电话：0431-89561560
传真：0431-89561560
QQ：1925772820
Email：oceanlight1@126.com
地址：吉林省长春市长春市高新区繁荣路5099号
品牌：长春市海洋光电
价格：面议
元/件
供应地：吉林省长春市
产品型号：标准
产品编号：
产品名称：
规 格：
产品备注：
产品类别：
通常，石墨烯大多是在金属表面上用CVD技术生长的，在微电子或电子器件的应用中不得不将其从导电的金属上用化学方法剥离，将其置于分离的衬底上再应用。这在器件的制备上存在很大的局限性，而在半绝缘(高阻)SiC衬底上生长的石墨烯可以直接用来制备电子器件，如高频电子器件、光电子器件及量子器件等，尤其是在SiC衬底上用CVD技术生长的石墨烯与CMOS工艺兼容，因而无需进行衬底转移，即可应用于电子器件研制。
在4H和6H型SiC衬底上生长单层/双层和三层石墨烯
晶体性质
石墨烯生长面
石墨烯
半绝缘型
4H-SiC的Si面
4H-SiC的C面
P型或N型
导电型
4H-SiC的Si面
4H-SiC的C面
—
半绝缘型
6H-SiC的Si面
6H-SiC的C面
P型或N型
导电型
6H-SiC的Si面
6H-SiC的C面
—
10mmx10mm，15mmx15mm，2英寸x 2英寸，4英寸x 4英寸
φ2英寸，φ3英寸，φ4英寸，φ5英寸，φ6英寸
根据客户要求
描述：
● 生长方法：CVD生长
● 覆盖率：100%
● 石墨烯层数：1层，2层，3层
● 单层厚度：0.345 nm
● 载流子密度：N型5x1011-1.5x1013cm-2，P型1x1013-1.5x1013cm-2
● N型迁移率：3000 cm2/Vs
● P型迁移率：可达6500乃至8000 cm2/Vs(温度：300K)
应用
● 高频电子器件
● 光电子器件
● 量子器件
● 自旋电子学
● 光电探测器
● 新碳电子学
● 石墨烯半导体芯片
● 石墨烯计算机存储器
● 生物技术
● 生物传感器
