科研实验专用铪靶材Hf氧化铪靶材HfO2磁控溅射靶材

产品介绍

     氧化铪（HfO2）常温常压下为白色固体，熔点：2758℃，沸点：5400℃，密度：9.68g/cm3，难溶于水，常温常压下稳定，避免与酸接触；当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪；也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料；是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它最可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。

产品参数
中文名 二氧化铪        化学式 HfO2     沸点 5400℃
分子量 210.49           熔点 2758℃      密 度 9.68g/cm3
纯度 99.99%
产品介绍
      铪（Hf）是一种带光泽的银灰色的过渡金属，具有塑性，当有杂质存在时质变硬而脆；有6种天然稳定同位素，不与水、稀盐酸、稀硫酸和强碱溶液作用；空气中稳定，灼烧时仅在表面上发暗，细丝可用火柴的火焰点燃；高温下，铪也可以与氧、氮等气体直接化合，形成氧化物和氮化物。有较高的中子吸收截面，可用作反应堆的控制材料；有较高的中子吸收截面，可用作反应堆的控制材料；铪元素也用于最新的intel45纳米处理器。
产品参数
中文名 铪             元素符号 Hf
原子量 178.49         沸点 4603℃
熔点 2233℃           密度 13.31g/cm3
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库