碲化镉(cadmium  telluride)

由碲和镉构成的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构。

碲化镉的物理性质

碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。

多晶合成用纯度为99.9999％的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1MPa。当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。

单晶生长 合成好的多晶料可用垂直布里支曼法，碲熔剂法、气相升华法、高压融体生长法等生长单晶。生长速度分别为2mm／h、3mm／h、0.2mm／h、5mm／h。垂直布里支曼法是现在常用于生长碲化镉单晶的方法，其生长示意图如图所示。

生长碲化镉单晶较困难，其原因是元素镉和元素碲在碲化镉生长温度都有较高蒸气压，因此晶体易偏离化学配比；另-个原因是镉易沾附石英安瓿。

　碲化镉

　　碲化镉（CdTe）是半导体材料A2B6系列的典型代表，主要用于制造医学、安全系统等领域使用的电离辐射检测器。不过，碲化镉最为普及的用途是用于生产薄膜太阳电池。

　　碲化镉在红外线光学仪器中得到成功应用。此种材料在红外线领域具有很宽的工作波段，如在12-25微米波段范围内用于滤波器底板。

　　碲化镉也广泛应用于CO2激光器中的激光闭锁器（Q—switch）。

碲化镉 - 系统编号

CAS号：1306-25-8

MDL号：MFCD00015998

EINECS号：215-149-9

RTECS号：EV3330000

PubChem号：24855535

碲化镉 - 毒理学数据

1、急性毒性：大鼠引入腹膜LD50：2820mg/kg：发抖，体重下降 小鼠口经LD50：>15gm/kg 小鼠引入腹膜LD50：2100mg/kg：发抖，体重下降

碲化镉 - 计算化学数据

1、 氢键供体数量：0

2、 氢键受体数量：0

3、 可旋转化学键数量：0

4、 拓扑分子极性表面积（TPSA）：0

5、 重原子数量：2

6、 表面电荷：0

7、 复杂度：2

8、 同位素原子数量：0

9、 确定原子立构中心数量：0

10、 不确定原子立构中心数量：0

11、 确定化学键立构中心数量：0

12、 不确定化学键立构中心数量：0

13、 共价键单元数量：1