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供应地：广东省深圳市
产品型号：MOCVD前驱体材料
国内厂家供应MOCVD前驱体材料
供应半導體化學氣相沉積材料，專業研發及製造各種先進 MOCVD/ALD (Chemical Vapr DePOSTTTION /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。
MOCVD Precursor(化学气相沉积材料)
传统的薄膜沉积方法也不可能做到原子层级别的结构和厚度上的精确控制。ALD技术也可以用于提高其他方法所沉积的薄膜质量，比如用物理气相沉积方法（PVD）可以很容易快速的沉积出相对较厚的薄膜，ALD技术已经成功的被用来在这些薄膜上沉积“密封层”，填补下面的PVD薄膜上可能出现的针孔和裂缝。ALD技术相对于最基础的离子轰击镀膜方法对材料表面也更温和。
TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB
