不同类型的电容器作用是不同的，但是无论是任何一种电容都是需要其他电容辅助的。就拿势垒电容和扩散电容来说，就是相扶相持的，两者是必不可少的搭档。不妨一起来了解一下两者究竟有着怎样的相辅相成的吧。
在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。势垒电容具有非线性，它与结面积、耗尽层宽度、半导体的介电常数及外加电压有关。势垒电容是二极管的两极间的等效电容组成部分之一，另一部分是扩散电容。势垒电容在正偏和反偏时均不能忽略。而反向偏置时，由于少数载流子数目很少，可忽略扩散电容。
不过，实际上p-n结在较大正偏时所表现出的电容，主要不是势垒电容，而往往是所谓扩散电容。所以对于势垒电容和扩散电容来说，两者哪个是主角关键要看实际情况，而并非是绝对性的。正是因为如此，所以说两者是相辅相承的。
值得注意的是，势垒电容是相应于多数载流子电荷变化的一种电容效应，因此势垒电容不管是在低频、还是高频下都将起到很大的作用(与此相反，扩散电容是相应于少数载流子电荷变化的一种电容效应，故在高频下不起作用)。实际上，半导体器件的最高工作频率往往就决定于势垒电容。
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