在晶体管光耦TLP185或者TLP785中，接收器是一只硅光电晶体管，因此在B-E之间只有一个硅PN结。达林顿光耦TLP127及TLP627等是由复合管构成，两个硅PN结串联成复合管的发射结。根据上述电路上的差别，很容易将通用型与达林顿型光耦合器区分开来。具体方法是，将万用表拨至R×100档，黑表笔接B极，红表笔接E极，采用读取电压法求出发射结正向电压VBE。若VBE=0.55～0.7V，就是达林顿型光耦合器。

通用型与达林顿型光耦合器的主要区别是接收管的电流放大系数不同。前者的hFE为几十倍至几百倍，后者可达数千倍，二者相差1～2个数量级。因此，只要准确测量出hFE值，即可加以区分。在测量时应注意事项：因为达林顿型光耦合器TLP127的电流增益hFE值很高，所以表针两次偏转格数非常接近。准确读出n1、 n2的格数是本方法关键所在，否则将引起较大的误差。此外，欧姆零点亦应事先调准。

若TLP127中的发射管损坏，但接收管未发现故障，则可代替超β管使用。同理，倘若TLP627中的接收管完好无损，也可作普通硅NPN晶体管使用，实现废物利用。对于无基极引线的通用型及达林顿型光耦合器，本方法不再适用。建议采用测电流传输比CTR的方法加以区分。

达林顿晶体管输出光电

型号引脚CON组fi guration特点

微型扁平的MFSOP6高VCEO

1000 1/1 1.2 100/10 300 2500????7

TLP187

SO6（加强绝缘）高VCEO

1000 1/1 1.2 100/10 300 3750??RR

TLP371

DIP6高VCEO SEMKO批准

1000 1/1 1.2 100/10 300 5000???

TLP372

DIP6高VCEO无内部连接基地

1000 1/1 1.2 100/10 300 5000??

TLP373

DIP6高VCEO发射极长集电极的距离

1000 1/1 1.2 100/10 300 5000??

TLP523

DIP4通用

500 1/1 1.0 50/10 55 2500??

TLP570

DIP6通用高抗电磁干扰

1000 1/1 1.2 100/10 35 2500??

TLP571

DIP6通用内部底座连接

1000 1/1 1.2 100/10 35 2500?

TLP572

DIP6通用内置RBE

1000 1 / 1.2 1.2 100/10 55 2500?

TLP627

DIP4高VCEO SEMKO批准

1000 1/1 1.2 100/10 300 5000