源信达供应仙童场效应管HUF75645大量优势现货  欢迎来电咨询订购

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规格参数：

制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

Id-连续漏极电流: 75 A

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms

晶体管极性: N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 310 W

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

封装: Tube

商标: Fairchild Semiconductor

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 97 ns

最小工作温度: - 55 C

上升时间: 117 ns

系列: HUF75645

工厂包装数量: 50

典型关闭延迟时间: 41 ns

零件号别名: HUF75645P3_NL

单位重量: 1.800 g

本公司长期供应以下型号：
IRF2807Z
SUP85N10
IRF2807
IRF3803
IRF1010E
IRF5305
IRFZ46
HUF75645
IRF640
IRF3808
IRF4905
IRF3205
IRF1010N
IRFZ44
IRF540
IRFZ48
IRF3607
IRF4710
IRF8010
7805
20100
D1406


官网：http://yuanxinda168.hqew.com/
源自：深圳市源信达电子商行

地址：深圳市福田区新亚洲二期N2A076