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10 07 2023

温补压控晶振

当前位置: 首页> 电子元器件> 电子专用材料> 压电晶体材料
来源:[深圳市瑞科创电子有限公司]
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地址:广东省深圳市深圳市福田区上步南路1001号锦峰大厦309室
品牌:
价格:面议 元/
供应地:广东省深圳市
产品型号:

温补晶振  TCXO  10MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  5.0V,  sine输出,  不带频率调整,封装SMD  7×5×2mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm
温补晶振  TCXO  10MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  sine输出,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±1.0ppm,  -20℃~  +70℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm
温补晶振  TCXO  10MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm
温补晶振  TCXO  10MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm  
温补晶振  TCXO  10MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm
  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm
温补晶振  TCXO  20MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  sine输出,  不带频率调整,封装SMD  7×5×2mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  sine输出,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±1.0ppm,  -20℃~  +70℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm
温补晶振  TCXO  20MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO20MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm
温补晶振  TCXO  20MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm  
温补晶振  TCXO  20MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm
  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm
温补晶振  TCXO  40MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  sine输出,  不带频率调整,封装SMD  7×5×2mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  sine输出,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±0.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±1.0ppm,  -20℃~  +70℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5×2mm
温补晶振  TCXO  40MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  clipped  sine,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  5×3mm
温补晶振  TCXO  40MHz    ±1.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±2.0ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm  
温补晶振  TCXO  40MHz    ±2.5ppm,  -40℃~  +85℃,  3.3V,  Hcmos,  带频率调整,封装SMD  7×5mm


  
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