参数规格;
不同  Id  时的  Vgs(th)（最大值）    5V  @  250µA
不同  Vds  时的输入电容  (Ciss)    415pF  @  25V
不同  Vgs  时的栅极电荷  (Qg)    13nC  @  10V
不同  Id、Vgs  时的  Rds  On（最大值）    800  毫欧  @  2.5A，10V
供应商器件封装    D-Pak
功率  -  最大值    100W
安装类型    表面贴装
封装/外壳    TO-252-3，DPak（2  引线+接片），SC-63
漏源极电压  (Vdss)    500V
电流  -  连续漏极  (Id)（25°C  时）    7.5A  （Tc）
FET  功能    标准
FET  类型    MOSFET  N  通道，金属氧化物

MDmeshTM  是一新的革命  MOSFET  技术，将与该公司的  PowerMESHTM  水平布局关联的多个排水的过程。产生的产品具有杰出低导通电阻、  赫然高  dv/dt  和优秀雪崩特征。采用本公司专有的地带技术收益率整体动态性能明显优于同类竞争产品。