LM3409/09N  /  09年高压/  09  q  /  09  qhv  p沟道MosFET(PFET)控制器降压(巴克)当前的监管机构。他们提供了宽输入电压范围,高端差动电流可调阈值电压较低和快速输出启用/禁用功能和热增强VSSOP-10包。这些特征共同构成了LM3409家庭的设备适合作为驱动led的恒流源,提出电流5很容易实现。
LM3409设备使用常数停工时间(COFT)控制规范准确的恒流而不需要外部控制回路补偿。模拟和PWM调光很容易实现和结果在一个高度线性调光范围具有优良的可实现的对比度。可编程的UVLO、低功耗关闭和热关闭完成特性集。
LM3409/09Q  /  09年n有42  v操作输入电压范围,而LM3409HV  /  QHV高电压的选择与一个75  v输入电压范围。LM3409/09HV  /  09  q  /  09  qhv进来一个热增强10-lead  VSSOP包,而LM3409N进来14-lead  PDIP包。LM3409Q  /  LM3409QHV汽车级产品AEC-Q100  1级合格。
特性
LM3409Q  /  LM3409QHV汽车级产品AEC-Q100  1级合格
2?,1峰值MosFET栅极驱动器
VIN范围:6  v到42  v(LM3409  /  LM3409Q  /  LM3409N)
VIN范围:6  v到75  v(LM3409HV  /  LM3409QHV)
差,目前高端的感觉
Cycle-by-Cycle电流限制
不需要控制回路补偿
10000:1的PWM调光范围
250:1模拟调光范围
支持全输出电容和Capacitor-less输出
低功率关闭和热关闭
热增强VSSOP-10包
双重内联包(LM3409N)