纳米钨粉 http://www.shcbnano.com/a/chanpinzhanshi/taocifamen/57.html
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纳米钨粉 
纳米钨粉通过气相CVD方法制备，球形度高，纯度高、粒径小，，松装密度小，颗粒均匀，活性高，比表面积大,粉末经惰气处理后氧含量极低等特点，易于分散及工业化应用，目前广泛应用宇航合金、电子封装合金、电极材料、微电子薄膜、烧结助剂、保护涂层、气体传感器电极。
产品参数
产品应用
1制造高性能钨制品和加工制造纳米Wu线，利用纳米Wu线的优异性能来制造高性能超细纳米晶质合金和高比重合金，已成为许多高科技领域不可或缺的功能性材料；
2纳米钨粉所生产的硬质合金具有极高的硬度，为钨材料的前沿产品
3大量用于高比重合金，合金钢、钻头、顶锤等大制品；
4高活性纳米钨粉可作为高性能高比重合金的原料粉末的添加剂（添加量从10%～20%）和制备W条和W丝的原料添加剂，更可作为高性能合金的钨粉原料，可显著改善合金性能，同时降低烧结温度和缩短烧结时间，节约生产成本；
5纳米钨粉可作为纳米WC的原料，用以制备纳米晶硬质合金。由于此种纳米钨粉的特殊孔结构，可用于陶瓷金属化涂层W-Mn法的钨粉原料。
包装储存
本品为充惰气玻璃瓶包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果；包装数量可以根据客户要求提供，分装。
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上海技物所在半导体单纳米线光电特性研究方面取得进展字号
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近年来，半导体纳米线因为其准一维的结构特征，在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件，如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中，纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收，而其中的电子（空穴）迁移率等也逐渐接近甚至高于相应体材料的最佳值；相对而言，载流子寿命尤其是少子寿命已经成为限制纳米线光电器件性能进一步提升的关键参数。与此同时，功能性的n型或p型掺杂是实现纳米线电子、光电效能的基本条件之一，但受这类材料高比-表面积的影响，掺杂可能偏离预期的电子学目标，因此这方面微观机制的澄清将有益于纳米线走向实际应用。
中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室博士研究生夏辉等在合作导师的指导下，使用聚合物包裹的砷化镓（GaAs）纳米线，并利用基于导电原子力显微术的纳米光电子学研究平台，实现了对单根外延纳米线的测量。该实验方案相对于常用的单纳米线器件测量方法，避免了光刻、离子束观测等器件制作工艺对半导体纳米线的损伤，因而更利于考察原生纳米线的本征性质。
区别于常规薄膜和体材料，他们在GaAs纳米线中观察到了因n型掺杂带来的奇异线性光电流现象。研究人员通过建立考虑纳米线结构特征的数值模型，复现了不同掺杂条件下单纳米线的光电流-偏压曲线，并从中提取了单纳米线的少子（空穴）寿命。进一步的比较分析发现，由于表面电子态的大量存在，在相当浓度的掺杂条件下（n=-3），n型杂质释放的电子可能倾向于占据表面态，从而成为光生空穴的复合通道。
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这一机制澄清了半导体纳米线中少子寿命显著低于薄膜材料体系的微观起源，并有助于纳米线表面特性的控制和掺杂纳米线光电性能的优化应用。
该项工作得到了973项目、国家自然科学基金、中国科学院国际合作团队计划的资助。相关论文发表在最近一期的ACS Nano上(6卷，6005-6013) 。
