在相同工艺参数下，使用不同的抛光垫分别对单晶氧化镁基片进行CMP实验，对比分析了不同抛光垫的作用机理及抛光效果，选择出一种适合单晶氧化镁基片CMP的抛光垫。通过正交实验，对CMP工艺参数进行优化，获得了较好的基片表面质量，表面粗糙度Ra值达到1.3(AFM测量结果)，提高了加工效率，降低了成本。本文还针对CMP过程中的小尺寸基片面形难于控制的问题，研究了CMP工艺参数对单晶氧化镁基片面形的影响，对于改善基片面形精度有一定的指导意义。http://www.meijt.com/