目前对单晶氧化镁超精密加工技术的研究较少，没有一套完整的专门适合于单晶氧化镁的超精密加工工艺。本文采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)方法加工单晶氧化镁基片表面，通过化学和机械的交互作用去除表面损伤层，高效地获得超光滑无损伤的单晶氧化镁基片表面。 本文在大量的CMP实验基础上，研究了影响CMP过程的主要因素(如抛光垫、抛光液、抛光压力、抛光盘转速等)对单晶氧化镁基片抛光效果的影响规律。根据单晶氧化镁基片的物理化学性质，研制了适合单晶氧化镁基片的化学机械抛光液。对抛光垫的主要特性参数进行了检测和评价。http://www.xtmshg.com/