DBC工艺

  DBC基板的制造是使用一种特别的热熔式粘合方法，DBC烧结炉一块已有一层薄氧化铜(氧化于热处理时或之前)的铜片与Al2O3陶瓷密贴并于1065℃至1085℃的温度下受热 (图1和图2)。

  图1 氧和氧化铜的共晶

  DBC烧结炉共晶熔化体与陶瓷结合而铜片则仍然是固态。Al2O3陶瓷的卓越湿性是基于以下反应：CuO + Al2O3 = Cu Al2O4

  以下的特性，使DBC能取代用于多芯片功率模块的传统物料。

  - 尽管铜层相当厚(0.3mm)，热膨胀系数仍然很低(7.2×10-6);

  - 铜具高抗剥强度 (>50N/cm);

  - 由于厚铜片的高效率散热和铜直接接合于陶瓷，基板的热阻非常低;

  - 高机械和环境稳定性。

  主要用于陶瓷覆铜箔在N2或N2、O2混合气氛条件下的高温氧化、烧结等高温热处理等，具体说明如下：

  1额定温度：1100℃;更高温度：1150℃

  2有效高度：80mm

  3网带宽度：200mm

  4网带材质：SUS314

  5更大负载：50Kg/m2(不含网带自重)

  6炉膛结构：采用大炉腔结构和厚10mm SUS310S马弗炉管结构

  7传动系统：大包角摩擦传动

  8调速范围：25～150mm/min，变频无级调速

  9加热元件：陶瓷棒外绕高温合金丝(进口KANTHAL加热丝)

  10烧结气氛：氮气+氧气

  11气路组成：12路氮气，1路氧气，每路流量可调节(详见3.2技术说明)

  12氧含量检测点：预热区、高温区1、高温区2、冷却区、混配出气口共五点不锈钢检测管路并联连接到氧分析仪，通过电磁阀来选择切换点，可实时检测炉内氧含量，方便调节与选择进气量大小

  13氧含量(配氧分析仪表在线分析氧含量)：

  预热区≤15ppm+气源氧含量

  高温区1≤10ppm+气源氧含量

  高温区2≤10ppm+气源氧含量

  冷却区≤15ppm+气源氧含量(注：需保证氮气气源纯度99.999%)

  14排气系统：进、出口过渡套各设置1个排气管(详见3.2技术说明)

  15冷却方式：采用气冷和水冷相组合的方式冷却，冷却水套1点水温检测

  16网带清洗方式：毛刷清洗

  17结构划分：(详见3.1技术说明)

  18控温稳定度：±1℃

  19炉膛温度均匀度：±2℃(恒温区1100℃)

  20升温速率：≤1.5℃/min

  21温区个数：8个

  22控温点数：8点

  23热偶：K分度,美国瓦特龙

  24报警指示：超温、变频器报警、断偶、低气压、低水压声光报警

  25停电保护：加装手动摇出装置

  26停带保护：进出口端板各设1个急停按键

  27氮气工作压力：0.3～0.5Mpa

  28氮气耗量：约12～15m3/h(立方米每小时)

  29氧气工作压力：0.1～0.2Mpa

  30氧气耗量：约1～3L/h(升每小时)

  31气体混配装置：含进出口压力检测及缓冲阀

  32冷却水耗量：约1～2m3/h(立方米每小时)

  33冷却水工作压力：0.15～0.25MPa，进水温度小于30℃

  34表面温升：<50℃

  35出料温度：≤60℃

  36加热功率：64kW

  37空炉保温功率：≤25kW

  38电源：容量大于85 KVA，3相5线，220/380VAC，50Hz

  39重量：约1800Kg

  40外形尺寸：9550×1200×1450mm(L×W×H)，不含(烟囱、指示灯)