传统直接蒸发 HfO2块材料, 容易产生节瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光损伤阈值, 因此, 为了获取高质量的 HfO2 薄膜, 某机构采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO2 薄膜.
客户的样品基底材料为 K9 玻璃, 靶材为 HfO2块材料, 运行的离子源偏压为 90V.
离子源型号
离子源 KDC 160
Discharge
DC 热离子
离子束流
>650 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
16 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
2-30 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
25.2 cm
直径
23.2 cm
中和器
灯丝
* 可选: 可调角度的支架
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的代理商.
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伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数:
应用结果:
通过使用伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 在偏压为 90V 时, 制造得到的HfO2 薄膜晶粒减小, 膜结构更均匀, 缓解了激光能量的局部聚焦, 因此具有较高的损伤阈值.
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2023
伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO 射频离子源
来源:[伯东企业(上海)有限公司]
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价格:面议
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