GdF3光学薄膜拥有优异的光学性能, 在深紫外光学薄膜中有广泛应用, 以193nm投影光刻为例, 其系统有30~40个光学元件, 且部分元件口径高达 400mm,为了使系统高质量成像, 不仅要求制备的薄膜具有极高的透过率和良好的抗激光损伤能力, 而且为了膜厚均匀性控制提出了极高的要求.
因此某光学薄膜制造商采用KRI 考夫曼射频离子源 FRICP220 和射频离子源 FRICP140辅助溅射制备GdF3光学薄膜, 以求获得透过率高且良好抗激光损伤能力的均匀性的GdF3光学薄膜.
客户离子束溅射系统装置图如下图:
其中用于溅射的离子源为 20cm的 KRI 射频离子源 RFICP220, 辅助离子源为12cm的KRI 射频离子源 RFICP140.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号
RFICP220
Discharge
RFICP 射频
离子束流
>800 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
20 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
10-40 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
30 cm
直径
41 cm
中和器
LFN 2000
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
伯东 KRI 射频离子源 RFICP140 技术参数:
型号
RFICP140
Discharge
RFICP 射频
离子束流
>600 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
14 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
5-30 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
24.6 cm
直径
24.6 cm
中和器
LFN 2000
工艺简介:
离子源工作气体为Xe气, NF3作为辅助气体反应溅射, 靶材为金属Gd靶.
KRI 射频离子源 RFICP220 主要是用于产生高能Xe离子束轰击靶材, 通过动量传递使靶材原子获得足够的动能而脱离靶材表面, 射向基板, 在基板的上沉积而形成一层薄膜; 另一个辅助离子源(KRI 射频离子源 RFICP140)通入NF3, 通过对生长中的薄膜的轰击, 使得薄膜进一步致密, 同时改善薄膜的化学性能.
运行结果:
KRI 考夫曼射频离子源辅助溅射制备GdF3光学薄膜具有极高的透过率和良好的抗激光损伤能力, 而且膜厚均匀性良好.
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05
04
2023
射频离子源 RFCIP220辅助溅射制备 GdF3光学薄膜 考夫曼离子源
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