在 DC/DC 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对质量带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节.
某大型工厂在生产过程中采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产, 其主要目的是:
1. 去除处理物体表面的外来物层, 如沾污层、氧化层等
2. 改善物体表面状态, 提高物体表面活性, 提高物体表面能等
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号
RFICP220
Discharge
RFICP 射频
离子束流
>800 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
20 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
10-40 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
30 cm
直径
41 cm
中和器
LFN 2000
客户存在的问题:
客户的背银芯片很容易发生银的硫化及氧化,将直接影响芯片的贴装质量.被硫化或氧化背银的芯片采用导电胶粘接、氢气烧结、再流焊贴装均将有空洞率增大导致接触电阻、热阻增大和粘接强度下降等问题.
解决方案:
客户采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 , 氩气作为清洗气体, 清洗时间200~300 s, 气体流量40 sccm, 经过 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 产生的离子束清洗芯片背面
运行结果:
1. KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 有效去除背银芯片硫化银及氧化银, 保证了芯片贴装质量
2. 可有效提高 DC/DC 混合电路组装质量及可靠性
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
伯东版权所有, 翻拷必究!
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
05
10
2023
考夫曼射频离子源RFICP220辅助DC/DC 混合电路生产 考夫曼离子源
来源:[伯东企业(上海)有限公司]
联系人:叶女士
手机:13918837267
电话:021-50463511(109)
传真:021-50461490
QQ:2821409400
Email:ec@hakuto-vacuum.cn
地址:上海上海市浦东新区上海市外高桥保税区希雅路33号17号楼B座3层,200131
品牌:KRI
价格:面议
元/
供应地:上海上海市
产品型号:

