某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
射频离子源型号
RFICP380
Discharge 阳极
射频 RFICP
离子束流
>1500 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
30 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
15-50 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
39 cm
直径
59 cm
中和器
LFN 2000
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:
离子源型号
eH3000
eH3000LO
eH3000MO
Cathode/Neutralizer
HC
电压
50-250V
50-300V
50-250V
电流
20A
10A
15A
散射角度
>45
可充气体
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
气体流量
5-100sccm
高度
6.0“
直径
9.7“
水冷
可选
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
涡轮分子泵 HiPace 2300 技术参数：
型号
接口 DN
抽速 l/s
压缩比
启动压强hPa
极限压力
全转速气体流量hPa l/s
启动时间
重量
进气口
排气口
氮气N2
氦气He
氢气 H2
氮气N2
氮气N2
hPa
氮气N2
min
kg
HiPace 2300
250
40
1,900
2,000
1,850
> 1X108
1.8
< 1X10–7
20
4
34 – 47
镀膜机实际运用案例：
采用多靶磁控溅射镀膜机在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯块表面上溅射沉积 ZrB_2 涂层，与其他未引用 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控溅射镀膜机相比, 引进 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其镀制的 ZrB_2 涂层附着力明显提高, 涂层厚度更加均匀, 晶粒更加细小, 沉积率更高.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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04
13
2023
考夫曼射频离子源 RFICP380成功用于多靶磁控溅射镀膜机 考夫曼离子源
来源:[伯东企业（上海）有限公司]
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