KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
型号
eH400
eH1000
eH2000
eH3000
中和器
F or HC
F or HC
F or HC
F or HC
离子束阳极电压
50-300 V
50-300 V
50-300 V
50-250 V
离子束阳极电流
5A
10A
10A
20A
散射角度
>45
>45
>45
>45
气体流量
2-25 sccm
2-50 sccm
2-75 sccm
5-100 sccm
本体高度
3.0“
4.0“
4.0“
6.0“
直径
3.7“
5.7“
5.7“
9.7“
水冷
可选
可选
是
可选
F = Filament; HC = Hollow Cathode;
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 400F 成功应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean.
电源管理集成电路芯片镀膜时常用的材料, 例如: 铌酸锂 LiNbO3 , 钛酸钡 BaTi03 , 锆钛酸铅 PTZ, 氧化锌 ZnO , 氮化铝 AiN … 膜层与硅片会有脱膜及电性阻抗问题. 美国 KRI 霍尔离子源有高广角的涵盖面积 >45?, 及高解离率获得高密度的离子浓度, 在电源管理集成电路芯片 PMIC 的压电材料镀膜前有效的将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率.
电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺
设备: 5只靶材复合性溅镀机
基材: 6 存硅片
真空系统: 上海伯东美国 HVA 高真空插板阀 + 伯东 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍尔离子源: EH 400F
预清洁工艺离子源条件: Vd:120V (离子束阳极电压), Id:3.5A (离子束阳极电流), Ar gas: 20sccm (氩气).
腔体中 KRi 霍尔离子源 EH 400 本体, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm
上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸, 工艺条件选择适合型号
05
10
2022
KRi霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺Pre-clean 进口离子源 霍尔源
来源:[伯东企业（上海）有限公司]
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地址：上海上海市浦东新区上海市外高桥保税区希雅路33号17号楼B座3层，200131
品牌：KRI
价格：面议
元/台
供应地：上海上海市
产品型号：
