价格货期电议, 美国原装进口
KRI 射频离子源 RFICP 100
型号
RFICP 100
Discharge 阳极
RF 射频
离子束流
>350 mA, 可以达到 400 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
10 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
5-30 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
长度
23.5 cm
直径
19.1 cm
中和器
LFN 2000
KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
美国 KRI 射频离子源 RFICP 100
美国 HVA 真空闸阀
德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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03
17
2022
上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 考夫曼离子源
来源:[伯东企业（上海）有限公司]
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品牌：美国 KRi
价格：面议
元/台
供应地：上海上海市
产品型号：RFICP 100
