CVD管式炉此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

  此款CVD系统配置：

  1.1200度开启式真空管式炉(可选配单温区、双温区)。

  2.多路质量流量控制系统

  3.真空系统(可选配中真空或高真空)

  CVD管式炉产品特点：

  1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

  2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权设计,提高操作便捷性。

  3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

  系统设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD系统除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。CVD成长系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统。

  CVD管式炉系统产品的特点有以下几点：

  1、CVD系统沉积效率高;薄膜的成分可控，配比范围大;厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产;

  2、CVD系统可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程;

  3、系统兼容、常压、微正压多种主流的生长模式;

  4、CVD系统可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长;

  5、系统使用计算机控制，可以设置多种生长参数。

  CVD管式炉产品来源：

  http://www.chem17.com/st102089/erlist_1147937.html

  http://www.ctjzh.net/SonList-1147937.html